BTS115A
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Infineon BTS115A

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型号

BTS115A

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS115A

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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BTS115A Infineon Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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BTS115A详情

Infineon BTS115A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage Rating (DC)

    50 V

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    70 ns

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    15.5A (Tc)

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    TO-220AB, 3 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    BTS115A

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.31

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    15.5 A

  • 系列

    Alliance Plastics, BTS

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 最大功率耗散

    50 W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    15.5 A

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    50 W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    50 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    15.5 A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.12 Ω

  • 漏源击穿电压

    50 V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    62 A

  • 输入电容

    735 pF

  • DS 击穿电压-最小值

    50 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    120 mΩ

  • 最大rds

    120 mΩ

  • 长度

    15.4 mm

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技术文档: Infineon BTS115A.

BTS115A拓展信息

IRFR6215TRPBF
IRFR6215TRPBF

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IRFR5505TRPBF
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IRLL014NTRPBF
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IRFR220NTRPBF
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IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

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IRFR9024NTRPBF
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IRLR2905TRPBF
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IRFR9120NTRPBF
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IRLL2705TRPBF
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