BTS244ZAKSA1
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Infineon BTS244ZAKSA1

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型号

BTS244ZAKSA1

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS244ZAKSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-220, 5 PIN

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BTS244ZAKSA1 Infineon Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-220, 5 PIN

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BTS244ZAKSA1详情

Infineon BTS244ZAKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

  • 供应商器件包装

    PG-TO263-5-2

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    35A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Power Dissipation (Max)

    170W (Tc)

  • Product Status

    Obsolete

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2V @ 130µA

  • 操作温度

    -40°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    TEMPFET®

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    13mOhm @ 19A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2660 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    130 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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技术文档: Infineon BTS244ZAKSA1.

BTS244ZAKSA1拓展信息

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IRFR5505TRPBF
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IRLL014NTRPBF
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IRFR220NTRPBF
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IRFP260NPBF
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IRFR9024NTRPBF
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IRLR2905TRPBF
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IRFR9120NTRPBF
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IRLL2705TRPBF
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