BTS7904B详情
Infineon BTS7904B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
104 ns
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BTS7904B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.73
Part Package Code
TO-263
Drain Current-Max (ID)
40 A
包装
Tape & Reel
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
96 W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G5
资历状况
不合格
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
96 W
箱体转运
DRAIN
漏源电压 (Vdss)
30 V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
40 A
JEDEC-95代码
TO-263
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0202 Ω
漏源击穿电压
30 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
160 A
输入电容
6.1 nF
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
96 W
漏源电阻
12.7 mΩ
最大rds
11.7 mΩ
辐射硬化
无
BTS7904B拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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