BTS7904B
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Infineon BTS7904B

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型号

BTS7904B

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS7904B

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.0202ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-5

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BTS7904B Infineon Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.0202ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-5

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BTS7904B详情

Infineon BTS7904B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    104 ns

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BTS7904B

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.73

  • Part Package Code

    TO-263

  • Drain Current-Max (ID)

    40 A

  • 包装

    Tape & Reel

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 子类别

    其他晶体管

  • 最大功率耗散

    96 W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    96 W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    40 A

  • JEDEC-95代码

    TO-263

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    40 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0202 Ω

  • 漏源击穿电压

    30 V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    160 A

  • 输入电容

    6.1 nF

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    200 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    96 W

  • 漏源电阻

    12.7 mΩ

  • 最大rds

    11.7 mΩ

  • 辐射硬化

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技术文档: Infineon BTS7904B.

BTS7904B拓展信息

IRFR6215TRPBF
IRFR6215TRPBF

Infineon Technologies

IRFR5505TRPBF
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IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

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IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

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IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

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IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

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IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

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IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

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IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF

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IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF

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