FF600R17KF6C_B2详情
Infineon FF600R17KF6C_B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
表面安装
NO
引脚数
10
终端数量
10
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.6 V
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
470 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
1220 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FF600R17KF6C_B2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.6
Operating Temperature-Max
150 °C
Part Package Code
MODULE
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
未说明
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
绝缘栅BIP晶体管
最大功率耗散
4.8 kW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
10
JESD-30代码
R-XUFM-X10
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Dual
功率耗散
4.8 kW
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.7 kV
最大集电极电流
975 A
最大耗散功率(Abs)
4800 W
集电极电流-最大值(IC)
975 A
集电极-发射器电压-最大值
1700 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.1 V
宽度
130 mm
高度
38 mm
长度
140 mm
辐射硬化
无
FF600R17KF6C_B2拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








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