Infineon FS15R12YT3

包装/外壳

EASY2

表面安装

NO

终端数量

22

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

FS15R12YT3

Manufacturer

Infineon

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

86 W

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Unit Weight

2.731792 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

20

Continuous Collector Current at 25 C

24 A

Mounting Styles

底座安装

Part # Aliases

SP000100286 FS15R12YT3BOMA1

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

120 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

640 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

4.71

Part Package Code

MODULE

包装

Tray

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Six-Pack

子类别

IGBTs

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

22

JESD-30代码

R-XUFM-X22

资历状况

不合格

配置

6-Pack

箱体转运

ISOLATED

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT模块

最大耗散功率(Abs)

110 W

集电极电流-最大值(IC)

25 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.15 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

宽度

45.6 mm

高度

17 mm

长度

55.9 mm

高度(毫米)

20.5 mm