FS50R07N2E4_B11详情
Infineon FS50R07N2E4_B11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
Module
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55
Pd - Power Dissipation
190 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
6.349313 oz
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Continuous Collector Current at 25 C
70 A
Part # Aliases
SP000843946 FS50R07N2E4B11BOSA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
70 A
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
EconoPACK™ 2
子类别
IGBTs
配置
6-Pack
功率耗散
190
功率 - 最大
190 W
输入
Standard
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
1 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 50A
连续集电极电流
70
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
3.1 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
FS50R07N2E4_B11拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
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