Infineon HYB25D512800CE-6

表面安装

YES

引脚数

66

终端数量

66

RoHS

Non-Compliant

Package Description

TSOP2, TSSOP66,.46

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

0.7 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HYB25D512800CE-6

Clock Frequency-Max (fCLK)

166 MHz

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Qimonda AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

QIMONDA AG

Risk Rank

5.63

Part Package Code

TSOP2

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.28

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

电源

2.5 V

温度等级

OTHER

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.205 mA

组织结构

64MX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0046 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

宽度

10.16 mm

长度

22.22 mm