IGC05R60DEX1SA2
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Infineon IGC05R60DEX1SA2

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型号

IGC05R60DEX1SA2

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IGC05R60DEX1SA2

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

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IGC05R60DEX1SA2
IGC05R60DEX1SA2 Infineon Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

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IGC05R60DEX1SA2详情

Infineon IGC05R60DEX1SA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    UNCASED CHIP, R-XUUC-N2

  • Package Style

    UNCASED CHIP

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IGC05R60DEX1SA2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.66

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-XUUC-N2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

技术文档: Infineon IGC05R60DEX1SA2.

IGC05R60DEX1SA2拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
BFP740E6327

Infineon

BCX5316E6327
BCX5316E6327

Infineon

BCR185WE6327
BCR185WE6327

Infineon

SKP04N60
SKP04N60

Infineon

BCR185SE6327
BCR185SE6327

Infineon

IHW40T60
IHW40T60

Infineon

IHW15T120
IHW15T120

Infineon

FS400R07A1E3
FS400R07A1E3

Infineon

BCV48E6327
BCV48E6327

Infineon

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