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Infineon IGP03N120H2
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IGP03N120H2
1211-IGP03N120H2
分立半导体产品
TO-220-3
大陆
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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IGP03N120H2详情
Infineon IGP03N120H2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
9.6 A
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Test Conditions
800V, 3A, 82Ohm, 15V
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
输入类型
Standard
功率 - 最大
62.5 W
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.8V @ 15V, 3A
IGBT类型
-
闸门收费
22 nC
集极脉冲电流（Icm）
9.9 A
Td（开/关）@25°C
9.2ns/281ns
开关能量
290µJ
IGP03N120H2拓展信息
Infineon
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公司资质
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