Infineon IHY30N160R2

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.6 kV

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-off Time-Nom (toff)

675 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IHY30N160R2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.83

Part Package Code

TO-247

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

312 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6 kV

最大集电极电流

60 A

JEDEC-95代码

TO-247

最大耗散功率(Abs)

312 W

集电极电流-最大值(IC)

60 A

集电极-发射器电压-最大值

1600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.4 V