Infineon IPB021N06N3G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-TO263-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

120

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

79 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

250W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 196µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPB021N06N3G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.8

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

120 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™ 3

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

250 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23000 pF @ 30 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

275 nC @ 10 V

上升时间

80 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

120 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0021 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

输入电容

23 nF

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

634 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250 W

场效应管特性

-

漏源电阻

2.1 mΩ

最大rds

2.1 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant