Infineon IPB034N06N3G

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO263-7-3

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

100

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

167W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPB034N06N3G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.79

Part Package Code

TO-263

Drain Current-Max (ID)

100 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™ 3

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-PSSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 93µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11000 pF @ 30 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0034 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

149 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

167 W

场效应管特性

-