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价格梯度

内地含税价

1

￥10.2653
10

￥9.684249
100

￥9.136085
500

￥8.618947
1000

￥8.131081

Infineon IPB50N10S3L16ATMA2

Name: IPB50N10S3L16ATMA2
Brand: Infineon
SKU: 1211-IPB50N10S3L16ATMA2
Price: 10.27 USD
Availability: InStock
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对比

型号

IPB50N10S3L16ATMA2

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IPB50N10S3L16ATMA2

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

起订量

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IPB50N10S3L16ATMA2 Infineon MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

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IPB50N10S3L16ATMA2详情

技术参数

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Infineon IPB50N10S3L16ATMA2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

PG-TO263-3-2
Package

Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

100W (Tc)
Product Status

活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 60µA
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-T
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

15.7mOhm @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4180 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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IPB50N10S3L16ATMA2拓展信息

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