Infineon IPD65R225C7

包装/外壳

TO-252-3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Typical Turn-On Delay Time

9 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

63 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.011640 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000929430 IPD65R225C7ATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

20 nC

Tradename

CoolMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

225 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

48 ns

Id - Continuous Drain Current

11 A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD65R225C7

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.68

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

11 A

系列

CoolMOS C7

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

6 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.225 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

41 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

48 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

MOSFET

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm