Infineon IPD70N10S312

包装/外壳

TO-252-3

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Typical Turn-On Delay Time

17 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

125 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.139332 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000427248 IPD7N1S312XT IPD70N10S312ATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

51 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

11.1 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

25 ns

Id - Continuous Drain Current

70 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD70N10S3-12

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.63

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

70 A

系列

OptiMOS-T

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

上升时间

8 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

70 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0111 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

410 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

产品类别

MOSFET

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm

达到SVHC

not_compliant