Infineon IPI60R250CP

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

20.2

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

110 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

104W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 520µA

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI60R250CP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.73

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

12 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

104 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

151

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250mOhm @ 7.8A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 10 V

上升时间

17 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

12 A

阈值电压

3 V

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.25 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

输入电容

1.2 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

345 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

104 W

场效应管特性

-

漏源电阻

250 mΩ

最大rds

250 mΩ

达到SVHC

无SVHC