Infineon IPI65R420CFD

包装/外壳

TO-262-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

包装数量

500

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

38 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

83.3 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

0.084199 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

IPI65R42CFDXK SP000891702 IPI65R420CFDXKSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

32 nC

Tradename

CoolMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

420 mOhms

Id - Continuous Drain Current

8.7 A

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

83.3W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 300µA

系列

CoolMOS CFD2

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

83.3 W

技术

Si

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

功率耗散

83.3 W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

420mOhm @ 3.4A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31.5 nC @ 10 V

上升时间

7 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

8.7 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏源击穿电压

650 V

输入电容

870 pF

场效应管特性

-

漏源电阻

420 mΩ

最大rds

420 mΩ

通态电阻

420 mΩ

产品类别

MOSFET

宽度

4.57 mm

高度

9.45 mm

长度

10.36 mm