Infineon IPP60R600P6

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-219AB

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-219AB (SMF)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Impedance (Max) (Zzt)

2 Ohms

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

63W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP60R600P6

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.73

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M

包装

Tape & Reel (TR)

容差

--

无铅代码

有

零件状态

活跃

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

反向泄漏电流@ Vr

10µA @ 3V

操作模式

增强型MOSFET

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200mA

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

800mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 200µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

557 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

8.2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

133 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-