Infineon IPP80N06S2-H5

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP80N06S2-H5

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.11

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

80 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

CoolMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 230µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

155 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0055 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

场效应管特性

-