Infineon IPW60R045CS

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPW60R045CS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.46

Part Package Code

TO-247

Drain Current-Max (ID)

60 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

431 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

431 W

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

600 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

60 A

阈值电压

3 V

JEDEC-95代码

TO-247

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60 A

漏极-源极导通最大电阻

0.045 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

230 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

1950 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

431 W

漏源电阻

40 mΩ

达到SVHC

无SVHC