Infineon IRF6604

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

MQ, ISOMETRIC-3

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF6604

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

8.6

Drain Current-Max (ID)

12 A

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Silver/Nickel (Ag/Ni)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0115 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

92 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

32 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

42 W