Infineon IRFB4103PBF

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

LEAD FREE PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRFB4103PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.81

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

17 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17 A

漏极-源极导通最大电阻

0.165 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

140 W