IRG4MC30F
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Infineon IRG4MC30F

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型号

IRG4MC30F

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRG4MC30F

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

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IRG4MC30F
IRG4MC30F Infineon Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

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IRG4MC30F详情

Infineon IRG4MC30F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    IRG4MC30F

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    International Rectifier

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC

  • Risk Rank

    5.05

  • Part Package Code

    TO-254AA

  • 无铅代码

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    S-XSFM-P3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-254AA

  • 集电极电流-最大值(IC)

    28 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

IRG4MC30F拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
BFP740E6327

Infineon

BCX5316E6327
BCX5316E6327

Infineon

BCR185WE6327
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Infineon

SKP04N60
SKP04N60

Infineon

BCR185SE6327
BCR185SE6327

Infineon

IHW40T60
IHW40T60

Infineon

IHW15T120
IHW15T120

Infineon

FS400R07A1E3
FS400R07A1E3

Infineon

BCV48E6327
BCV48E6327

Infineon

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