IRG4MC50F详情
Infineon IRG4MC50F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRG4MC50F
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Rise Time-Max (tr)
25 ns
Risk Rank
5.05
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-XSFM-P3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-254AA
最大耗散功率(Abs)
150 W
集电极电流-最大值(IC)
35 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
最大下降时间 (tf)
300 ns
IRG4MC50F拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








哦! 它是空的。