IRHQ563110
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Infineon IRHQ563110

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型号

IRHQ563110

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRHQ563110

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IRHQ563110 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon stock available at utmel

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IRHQ563110详情

Infineon IRHQ563110重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    28

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Package Description

    CHIP CARRIER, S-CQCC-N28

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    IRHQ563110

  • Turn-on Time-Max (ton)

    44 ns

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    4

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Turn-off Time-Max (toff)

    122 ns

  • Risk Rank

    5.76

  • Drain Current-Max (ID)

    4.6 A

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    无铅

  • 参考标准

    RH - 300K Rad(Si)

  • JESD-30代码

    S-CQCC-N28

  • 配置

    SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4.6 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    18.4 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    70 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    12 W

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

技术文档: Infineon IRHQ563110.

IRHQ563110拓展信息

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IRLL014NTRPBF
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IRFP260NPBF
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IRLL2705TRPBF
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