Infineon IRLML5103GTRPBF

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-23

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540mW

Turn Off Delay Time

23 ns

JESD-609代码

e3

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540mW

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8.2ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

P-CHANNEL

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

760mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.76A

漏源击穿电压

-30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

600mOhm

最大rds

600 mΩ

电容-输入

75pF

高度

1.016mm

长度

3.0226mm

宽度

1.397mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准