Infineon MMBT2907ALT1XT

包装/外壳

SOT-23-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

PG-SOT23

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

330 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

45000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

200 MHz

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

RoHS

Details

Maximum DC Collector Current

600 mA

Brand

Infineon Technologies

Manufacturer

Infineon

Part # Aliases

SP000011179 LT1 MMBT 2907A MMBT2907ALT1HTSA1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

包装

MouseReel

操作温度

150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

330 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

连续集电极电流

600 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT