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Infineon MMBT3904
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MMBT3904
1211-MMBT3904
分立半导体产品
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大陆
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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MMBT3904详情
Infineon MMBT3904重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40 V
hFEMin
100
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
极性
NPN
功率耗散
330 mW
集电极发射器电压(VCEO)
1 V
最大集电极电流
200 mA
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
最大结点温度（Tj）
150 °C
高度
1.1 mm
MMBT3904拓展信息
Infineon
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公司资质
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