Infineon MMBT3904LT1XT

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

330 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

54000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

300 MHz

Part # Aliases

SP000011671 LT1 3904 MMBT MMBT3904LT1HTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Maximum DC Collector Current

200 mA

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

hFEMin

100

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

40 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

MMBT3904LT1XT

Turn-on Time-Max (ton)

70 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Turn-off Time-Max (toff)

250 ns

Risk Rank

8.06

包装

MouseReel

最高工作温度

150 °C

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

200 mA

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

功率耗散

330 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

200 mA

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

30

最大结点温度（Tj）

150 °C

连续集电极电流

200 mA

集电极-发射器电压-最大值

40 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

高度

1.1 mm

无铅

无铅