Infineon MMBTA06LT1XT

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

80 V

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

330 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

39000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

100 MHz

Part # Aliases

SP000011685 LT1 MMBTA 06 MMBTA06LT1HTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Maximum DC Collector Current

500 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

MMBTA06LT1XT

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

6.32

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

500 mA

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

集电极基极电压(VCBO)

80 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

500 mA

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

无铅

无铅