Infineon SGW10N60A

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

RoHS

Compliant

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

92 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Unit Weight

1.340411 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Continuous Collector Current at 25 C

20 A

Mounting Styles

通孔

Part # Aliases

SP000013742 SGW10N60AFKSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Continuous Collector Current Ic Max

20 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

系列

SGW10N60

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

92 W

技术

Si

配置

Single

元素配置

Single

无卤素

不含卤素

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

20 A

产品类别

IGBT晶体管

宽度

5.3 mm

高度

20.9 mm

长度

15.9 mm

辐射硬化

无