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1

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10

￥5.03242
100

￥4.747566
500

￥4.478836
1000

￥4.225317

Infineon SPB04N60C3

Name: SPB04N60C3
Brand: Infineon
SKU: 1211-SPB04N60C3
Price: 5.33 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SPB04N60C3

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-SPB04N60C3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

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SPB04N60C3 Infineon N-CHANNEL POWER MOSFET

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SPB04N60C3详情

技术参数

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Infineon SPB04N60C3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

PG-TO263-3-2
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

50W (Tc)
Product Status

活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 200µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

CoolMOS™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

490 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

600 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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SPB04N60C3拓展信息

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