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1

￥19.082149
10

￥18.002028
100

￥16.983045
500

￥16.02174
1000

￥15.114849

Infineon SPI11N60CFD

Name: SPI11N60CFD
Brand: Infineon
SKU: 1211-SPI11N60CFD
Price: 19.08 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SPI11N60CFD

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-SPI11N60CFD

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, 3 PIN

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SPI11N60CFD Infineon Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, 3 PIN

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SPI11N60CFD详情

技术参数

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Infineon SPI11N60CFD重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
引脚数

3
Continuous Drain Current

11(A)
Drain-Source On-Volt

600(V)
Operating Temperature Classification

Military
Package Type

TO-262
Operating Temp Range

-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)
Channel Mode

Enhancement
Number of Elements

1
Rad Hardened

无
Mounting

通孔
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

43 ns
包装

Rail/Tube
类型

功率MOSFET
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

125 W
引脚数量

3 +Tab
极性

N
元素配置

Single
功率耗散

125(W)
上升时间

18 ns
漏源电压 (Vdss)

650 V
连续放电电流(ID)

11 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

600 V
输入电容

1.2 nF
漏源电阻

440 mΩ
最大rds

440 mΩ
栅源电压

4 V
辐射硬化

无
无铅

无铅

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