Infineon SPI11N60CFD

引脚数

3

Continuous Drain Current

11(A)

Drain-Source On-Volt

600(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-262

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

43 ns

包装

Rail/Tube

类型

功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

125 W

引脚数量

3 +Tab

极性

N

元素配置

Single

功率耗散

125(W)

上升时间

18 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

连续放电电流(ID)

11 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

600 V

输入电容

1.2 nF

漏源电阻

440 mΩ

最大rds

440 mΩ

栅源电压

4 V

辐射硬化

无

无铅

无铅