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SPI12N50C3

SPI12N50C3

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Infineon SPI12N50C3

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型号

SPI12N50C3

品牌

utmel 编号

1211-SPI12N50C3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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SPI12N50C3

SPI12N50C3 Infineon Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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技术参数

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Infineon SPI12N50C3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
引脚数

3 +Tab
Continuous Drain Current Id

11.6
Continuous Drain Current

11.6(A)
Drain-Source On-Volt

500(V)
Operating Temperature Classification

Military
Package Type

TO-262
Operating Temp Range

-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)
Channel Mode

Enhancement
Number of Elements

1
Rad Hardened

无
Mounting

通孔
包装

Rail/Tube
类型

功率MOSFET
极性

N
功率耗散

125
信道型

N

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