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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SPI12N50C3
SPI12N50C3
SPI12N50C3

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Infineon SPI12N50C3

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型号

SPI12N50C3

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-SPI12N50C3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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SPI12N50C3
SPI12N50C3 Infineon Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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SPI12N50C3详情

技术参数

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Infineon SPI12N50C3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 引脚数

    3 +Tab

  • Continuous Drain Current Id

    11.6

  • Continuous Drain Current

    11.6(A)

  • Drain-Source On-Volt

    500(V)

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    TO-262

  • Operating Temp Range

    -55C to 150C

  • Gate-Source Voltage (Max)

    ±20(V)

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Number of Elements

    1

  • Rad Hardened

    无

  • Mounting

    通孔

  • 包装

    Rail/Tube

  • 类型

    功率MOSFET

  • 极性

    N

  • 功率耗散

    125

  • 信道型

    N

0个相似型号

技术文档: Infineon SPI12N50C3.

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公司资质

ISO13485
AS
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优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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