SPW11N60CFD
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Infineon SPW11N60CFD

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型号

SPW11N60CFD

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-SPW11N60CFD

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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SPW11N60CFD Infineon Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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SPW11N60CFD详情

Infineon SPW11N60CFD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商器件包装

    PG-TO247-3-21

  • Continuous Drain Current Id

    11

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    11A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Power Dissipation (Max)

    125W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    CoolMOS™

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 功率耗散

    125

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    440mOhm @ 7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 500µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1200 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    64 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 信道型

    N

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

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