2ED020I12-F
2ED020I12-F

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon Technologies 2ED020I12-F

  • 收藏
  • 对比

型号

2ED020I12-F

utmel 编号

1211-2ED020I12-F

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

20-SOIC (0.295, 7.50mm Width), 18 Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
2ED020I12-F
2ED020I12-F Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

请发送询价,我们将立即回复。

库存:1670

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2ED020I12-F详情

Infineon Technologies 2ED020I12-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    20-SOIC (0.295, 7.50mm Width), 18 Leads

  • 引脚数

    18

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1999

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    18

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 电压 - 供电

    0V~18V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 功能数量

    2

  • 电源电压

    15V

  • 基本部件号

    2ED020I12-F

  • 资历状况

    不合格

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 输入类型

    Inverting

  • 信道型

    Independent

  • 驱动器数量

    2

  • 输出峰值电流限制-名

    2A

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    1A 2A

  • 内置保护器

    THERMAL; UNDER VOLTAGE

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    1200V

  • 输出电流流向

    水槽

  • 宽度

    7.6mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies 2ED020I12-F.

查看更多

2ED020I12-F拓展信息

IRS2113STRPBF
IRS2113STRPBF

Infineon Technologies

IR2153SPBF
IR2153SPBF

Infineon Technologies

IR2214SSPBF
IR2214SSPBF

Infineon Technologies

IR2102SPBF
IR2102SPBF

Infineon Technologies

IR4427STRPBF
IR4427STRPBF

Infineon Technologies

IR2118SPBF
IR2118SPBF

Infineon Technologies

IR2117STRPBF
IR2117STRPBF

Infineon Technologies

IR2101STRPBF
IR2101STRPBF

Infineon Technologies

IR2127SPBF
IR2127SPBF

Infineon Technologies

IR2117PBF
IR2117PBF

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z