Infineon Technologies IR2127SPBF
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IR2127SPBF
1211-IR2127SPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC MOSFET DRVR CURR SENSE 8SOIC
--最小包装量--
IR2127SPBF详情
Infineon Technologies IR2127SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Turn Off Delay Time
200 ns
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 3V
Driver Configuration
High-Side or Low-Side
已出版
1996
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
125Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
625mW
电压 - 供电
12V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
IR2127SPBF
输出的数量
1
输出电压
10V
最大输出电流
500mA
工作电源电压
15V
电源电流
120μA
功率耗散
625mW
输出电流
200mA
传播延迟
250 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
250 ns
最大输出电压
20V
上升时间
130ns
下降时间(典型值)
65 ns
最小输出电压
12V
发布时间
150 ns
上升/下降时间(Typ)
80ns 40ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Single
接通时间
0.25 μs
输出峰值电流限制-名
0.5A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
高边驱动器
YES
关断时间
0.2 μs
高压侧电压-最大值(自举)
600V
宽度
3.9878mm
长度
4.9784mm
高度
1.4986mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IR2127SPBF拓展信息
Infineon Technologies
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