Infineon Technologies 2N7002H6327XTSA2

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

5.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

115mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6nC @ 10V

上升时间

3.3ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

300mA

阈值电压

2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

漏源击穿电压

60V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅