Infineon Technologies AUIRF1324WL

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Wide Leads

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

240A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3m Ω @ 195A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7630pF @ 19V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V

上升时间

200ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

110 ns

连续放电电流(ID)

240A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

24V

栅源电压

2 V

高度

11.3mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant