Infineon Technologies AUIRF3805S-7TRL
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AUIRF3805S-7TRL
1211-AUIRF3805S-7TRL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET
--最小包装量--
AUIRF3805S-7TRL详情
Infineon Technologies AUIRF3805S-7TRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
160A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
80 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超低电阻
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6m Ω @ 140A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7820pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
200nC @ 10V
上升时间
130ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
52 ns
连续放电电流(ID)
160A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0026Ohm
DS 击穿电压-最小值
55V
雪崩能量等级(Eas)
440 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
AUIRF3805S-7TRL拓展信息
Infineon Technologies
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