Infineon Technologies AUIRF4905L

工厂交货时间

9 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

42A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

-55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

高度

9.65mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant