Infineon Technologies AUIRF5210STRL
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AUIRF5210STRL
1211-AUIRF5210STRL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
--最小包装量--
AUIRF5210STRL详情
Infineon Technologies AUIRF5210STRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
38A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.1W Ta 170W Tc
Turn Off Delay Time
72 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
3.1W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
60mOhm @ 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2780pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
230nC @ 10V
上升时间
63ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
55 ns
连续放电电流(ID)
38A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-100V
输入电容
2.78nF
漏源电阻
60mOhm
最大rds
60 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRF5210STRL拓展信息
Infineon Technologies
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