Infineon Technologies AUIRF6218S

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2015

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2210pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

27A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-150V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅