Infineon Technologies AUIRFB4610

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

73A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

53 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2000

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3550pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 10V

上升时间

87ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

73A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

290A

栅源电压

2 V

高度

16.51mm

长度

10.66mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant