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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥24.899378
10
¥23.489977
100
¥22.160359
500
¥20.905999
1000
¥19.722642
Infineon Technologies AUIRFS6535
- 收藏
- 对比
AUIRFS6535
1211-AUIRFS6535
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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Trans MOSFET N-CH 300V 19A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRFS6535详情
Infineon Technologies AUIRFS6535重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
210W Tc
Turn Off Delay Time
22 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
配置
Single
功率耗散
210W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
185m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2340pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
19A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
300V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRFS6535拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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