Infineon Technologies AUIRFS6535

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

Power Dissipation (Max)

210W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 150μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2015

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

配置

Single

功率耗散

210W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

185m Ω @ 11A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2340pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

19A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

300V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅