AUIRFS6535TRL
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Infineon Technologies AUIRFS6535TRL

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型号

AUIRFS6535TRL

utmel 编号

1211-AUIRFS6535TRL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N CH 300V 19A D2PAK

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AUIRFS6535TRL Infineon Technologies MOSFET N CH 300V 19A D2PAK

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AUIRFS6535TRL详情

Infineon Technologies AUIRFS6535TRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 表面安装

    YES

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    19A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    210W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    Single

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    185m Ω @ 11A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 150μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2340pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    57nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    300V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    19A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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