Infineon Technologies AUIRFSL4310

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

68 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7670pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

250nC @ 10V

上升时间

110ns

下降时间（典型值）

78 ns

连续放电电流(ID)

130A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

550A

雪崩能量等级（Eas）

980 mJ

高度

9.65mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准